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线痕====硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹
崩边=====chip晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘长生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。
污片：用清洗溶剂清洗不能除去的表面脏污
穿孔：在对光源观察时，晶片表面有用针或似用针刺的小孔。
微晶:1CM单位长度上个数超过5个。
隐裂：硅片表面存在不贯穿的隐形裂纹，裂纹宽度大于0.1MM。
翘曲度：晶片中心面与基准平面之间的大和小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是表面特征。
厚度：通过晶片上已给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。
总厚度变化TTV：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的大厚度与小厚度的差值、
密集型线痕：垂直线横方向每厘米存在5条线痕以上。
电阻率：单位体积的材料对于两行平行面垂直通过的电流的阻率，符号为P，单位为欧。CM
少数载流子寿命：晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数流子浓度衰减到起始值的1/E{E=2.718}所需时间。又称少数载流子寿命，体寿命。