MCLL-贴片电容6.3V 22UF X7R 3216 +-10% CC1206X7R1K226

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MCLL-贴片电容6.3V 22UF X7R 3216 +-10% CC1206X7R1K226RL CCT品牌         功率器件市场仍将持续波动过去几年功率器件市场波动巨大，2009年全球功率半导体市场销售额下跌16%，2010年则暴涨44%，创下有史以来的高增长记录，2011年增长11%。后面两年由于市场对于经济增长不确定性的担忧而采取去库存、压价与推迟购买等举措，功率器件市场又经历了30多年来首次连续两年下跌（2012年下跌8%，2013年下跌6%）。2014年功率器件市场增长14%，终于结束了连续两年的艰难时光。功率器件厂商如何来应对这种大起大落的市场呢？安森美半导体标准产品事业部亚太区高级市场总监霍立信认为，与客户密切合作，正确判断市场景气度，同时能够有渠道消化库存才能在这样跌宕起伏的市场中较好地生存。他说：“安森美半导体一直保持与终端客户紧密合作，准确预测客户的短期需求及长期计划，并利用代理商渠道进行缓冲及库存管理，以及时应对客户需求的变化。”对于未来功率器件市场的走向，霍立信表示市场将持续波动的可能性极大，原因在于当前电脑、智能手机等消费电子产品更新换代快，产品生命周期远远短于半导体器件生产周期，消费电子市场需求的变化会波及功率器件市场态势。霍立信认为现在的电子产品越来越强调便携性，尺寸越来越小，功能却越来越丰富，要求功率器件以更紧凑的封装提供高能效，这将促进GaN技术及新一代MOSFET的进一步发展。随着汽车、工业及新能源市场对高性能电源转换产品的需求增强，安森美也将加大在IGBT功率模块上的投入。功率器件未来市场的新增长点主要集中于汽车、工业及新能源领域，包括汽车动力系统、先进驾驶辅助系统（ADAS）、影音娱乐系统、纯电动车/混合动力车、智能家居、智慧城市、自动化控制、智能电网、不间断电源、太阳能等应用。随着政府节能减排法规日趋严苛，以及消费者对汽车安全舒适性及燃油经济性的要求不断提高，汽车中所用到的半导体器件日益增加，不断提高能效、降低能耗的发展趋势将推动对功率器件的需求持续加速成长。随着工业4.0的提出，以智能制造为核心的产业趋势席卷全球，促进物联网的发展步伐，进而对高功率密度、高能效、低能耗功率器件的需求随之增强。   详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:2722553101主要用于电源滤波，电源降压，倍压，吸收浪涌保护IC,基本工作原理就是充电放电，当然还有整流、振荡以及其它的作用。应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能专业供应SMD中高压贴片电容，高容贴片电容，安规贴片电容，TDK原装电容器MLCC封装：0603，0805，1206，1210，1812，2220，2225全系列MLCC容值：10PF-1000PF-10NF-100NF-1UF-22UF-47UF-100UF(中间国标容值全部都有)MLCC电压：6.3v-100V-250V-500V-630V-1KV-2KV-3KV-5kv（中间电压全部都有）MLCC材质：NPO-COG-X7R-X5R1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性3.极高的度，在进行自动装配时有高度的准确性4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源8.由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源工作温度范围: -55～125℃额定电压: 100VDC～3000VDC温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）                            X7R:≤±15%,-55～125℃（EIAClass II）容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%绝缘电阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取两者小值老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一个decade时间介质电耐电压： 100V ≤ V ＜500V    :200%额定电压          500V ≤ V ＜1000V :150%额定电压                                           1000v≤ V                         :120%额定电压性能参数：1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:27225531014.封装0201-0805-1206-1812-2225CC1206X7R1K475RL 6.3V 4.7UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R1K106RL 6.3V 10UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R1K226RL 6.3V 22UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R1K476RL 6.3V 47UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R1K107RL 6.3V 100UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K155RL 10V 1.5UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K225RL 10V 2.2UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K335RL 10V 3.3UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K475RL 10V 4.7UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K106RL 10V 10UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K226RL 10V 22UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R2K476RL 10V 47UF X7R 3216+-10%CC1206X7R3K105RL 16V 1UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K155RL 16V 1.5UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K225RL 16V 2.2UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K335RL 16V 3.3UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K475RL 16V 4.7UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K106RL 16V 10UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K226RL 16V 22UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R3K476RL 16V 47UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K105RL 25V 1UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K155RL 25V 1.5UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K225RL 25V 2.2UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K335RL 25V 3.3UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K475RL 25V 4.7UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K106RL 25V 10UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R4K226RL 25V 22UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R5K105RL 50V 1UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R5K155RL 50V 1.5UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R5K225RL 50V 2.2UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R5K335RL 50V 3.3UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R5K475RL 50V 4.7UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R5K106RL 50V 10UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R6K105RL 100V 1UF X7R 3216 +-10%CC1206X7R6K155RL 100V 1.5UF X7R 3216 +-10%   详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:27225531011利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大2·单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性2极高的度，在进行自动装配时有高度的准确性4因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性5低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计6残留诱导系数小，确保上佳的频率特性7因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源8由于ESR低，频率特性良好，故适合于高频，高密度类型的电源高压贴片电容高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器，是一种用陶瓷粉生产技术，内部为贵金属钯金，用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。NPO具有小的封装体积，高耐温度系数的电容，高频性能好，用于高稳定振荡回路中，作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流（AC)脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿，所以不建义使用在交流电路中。高压贴片电容分三类：一类为温度补偿型NPO介质NP0又名COG电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。二类为高介电常数型X7R介质X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。三类为半导体型X5R介质X5R具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。    　优点：封装体积小,质量稳定，绝缘性能高，耐高压    　　缺点:容量较小，目前100UF，易于被脉冲电压击穿。    　　性能参数：    　　1.材质NPO(COG).X7R.X5R.Y5V    　　2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF    　3.电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV    　　4.封装0201-0805-1206-1812-2225    　　应用范围：    　　产品广泛用于模块电源、汽车电子，通讯电源，LED照明电源等领域，有着广阔的应用发展前景.详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:2722553101