1206 6.8nf/250V 点烟器专用10UF陶瓷贴片电容

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1206 6.8nf/250V 点烟器专用10UF陶瓷贴片电容      无人摇控照相机、摇控摄影机、无人驾驶飞机电源专用贴片陶瓷电容常用规格如下：1UF 16V 0805/2012封装22UF 16V 0805/2012封装47UF 16V 0805/2012封装1UF 16V 1206/3216封装22UF 16V 1206/3216封装47UF 16V 1206/3216封装22UF 35V 1812/4532封装47UF 35V 1812/4532封装0.1UF 50V 0805/2012封装以上都为X7R或X5R材质，容量精度为10%,耐温-55-+125度原厂直销，品质保证。更多规格欢迎查询和免费索样~详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:2722553101高容陶瓷贴片电容                                                                                                                                             1206 X7R 16V 476K(可代替插件CBB,以及小容量铝电解)封装尺寸:1206(3.2mm*1.6mm)标称电压: 16V容值:47UF误差：+-20%DF<5%工作温度:-55~+125度材质:X7R小包装：2000个一盘主要用于: LED照明电源，汽车转向控件器，电源模块,HID安定器,LED恒流驱动…等   智能电源、智能摇控电源、智能照明电源、WiFi电源替代CBB插件专用贴片电容常用规格如下：0805 47PF NP0 500V +-5%0805 68PF NP0 500V +-5%0805 82PF NP0 500V +-5%0805 100PF NP0 500V +-5%0805 0.1UF X7R 50V +-10%1206 50V 4.7UF X7R 10%1206 16V 1UF X7R 10%1206 NP0 250V 1NF +-5%1812 500V 0.1UF X7R +-10%1812 500V 0.22UF X7R +-10%1812 500V 0.33UF X7R +-10%1812 500V 0.47UF X7R +-10%以上规格耐温-55-+125度，原厂直销，品质保证。更多规格欢迎查询和免费索样~详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:2722553101NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。电容的主要特性参数1容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。（2）额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。（3）温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。（4）绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。（5）损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。（6）频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。不同品种的电容器，高使用频率不同。电解电容，贴片电容，钽电容，震荡电容各自的性能和用法电解质电容：容量体积比大、耐压较低、介质损耗大、绝大多数有极性，多用于低频电路如滤波、低频信号偶合等等。普通电容：有多种介质类型，如纸、云母、瓷、涤纶、独石等，较共性的特点是，容量体积比小，容易做成高耐压，介质损耗小，无极性，多用于中、高频场合做信号偶合、退偶合、滤波、微分积分电路等。无论电解电容还是其它电容，它们在表现“电容器“的主要特性上是一致的1.瓷片电容比电解电容贵，因为它的性能比较稳定，而且容量偏差和损耗角都比较小。df一般小于1%，容量偏差也小于5%。缺点是价格高，体积大。2.电解电容的特点是可以做到体积很小而容量很大，可以节省使用的空间。但是它的损耗叫很大，在10%以内，当然df〈5%也是可以订做得到。而且它的容量偏差一般也在10%以内。3。第三当然是一个稳定性的问题了，瓷片电容的性能比较稳定，而电解电容长时间不用后容量会偏小，使用时需要先充电一段时间才能使用。贴片电容与电解电容对比的差异MLCC高压贴片电容的主要特点，与电解电容比：等效串联电阻（ESR）小，阻抗（Z）低在 0.1～10Mhz范围内，MLCC的ESR要比钽电解电容器小几十倍。4.7μF的MLCC贴片电容远比10倍容量的铝电解电容器及2倍以上容量的钽电解电容器阻抗要小得多。因此，在高频工作条件下，它有可能取代尺寸大或价格高的铝电解电容器或钽电解电容器，并有更好的性能。      2.额定纹波电流大电容器的一个重要功能是用做平滑滤波器，因此额定纹波电流大小是一个重要性能指标。在设计滤波电路中，电容器的额定纹波电流要大于电路的大纹波电流。由于MLCC的ESR小，因此它的额定纹波电流大。这里举一个实例来说明。1500μF/25V的铝电解电容器的额定纹波电流（100kHz、105℃）为1.95A，而THC系列15μF/25V的MLCC的额定纹波电流是2A（电容量要差100倍！）。这是因为MLCC在100kHz时的ESR小于 0.01Ω，大电流的充、放电不会使电容器因过热而损坏。　3.品种规格齐全MLCC的品种、规格齐全。有耐高压系列（6.3V～5000V）、EMI滤波系列、低阻抗系列、有高精度调谐系列（RF频段）及多个电容器阵列，适合各方面应用。4.尺寸小       可以解决PCB板空间小，插件电容放不下的问题。5.无极性　　   6.漏电小7.寿命长，且NPO和X7R的MLCC温度范围很宽，-55-125度，电解电容一般用在-20度以上。8.NPO的MLCC极稳定，温漂（30ppm/度），老化性能比薄膜电容还要好很多，也无压电效应，可惜容量做不大.希望后续能开发出更大容量的电容。电容的作用:1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。 为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。2）去藕去藕，又称解藕。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。3）滤波从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。4）储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器    电容的用途非常多，主要有如下几种：   1.隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。    2.旁路(去耦)：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。    3.耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路   4.滤波：这个对DIY而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。    5.温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路的稳定性。   6.计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。   7.调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。    8.整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。    9.储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。(如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准，一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)   或加QQ:2722553101高压贴片电容一叠片陶瓷电容器断裂的主要因素叠片陶瓷电容器常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介 质的脆性决定的。由于叠片陶资电容器直接焊接在电路板上，直接承受 来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收 来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶资电容器来说，由于热膨胀系 数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的主要因素。貼片電容器的制程一、片式电容的发展:目前电容有独石、角型、片状、SMT,上述统一为片式电容.产量情况:日本村田45-50% 日本TDK:18% 美国AVX(日本京瓷1986合并):15%,其他品牌PHILIPPS、松下和台湾生产.中国在大连和肇庆各有一家生产企业二、生产工艺:工艺流程:配料 混合 制膜 印刷 压制 切割 烧成 上电极 电镀 分选 编带解释:配料主要成分石头粉(主要是碳酸钡钛 直径在0.1微米以下)混合是加粘合剂制膜有干式(村田和肇庆风华)和湿式(TDK)两种,专业术语叫流延,就是将陶瓷粉末做成膜印刷是在膜上印刷导电层,当然是小方块的,然后一层一层压制在一起,切割成小块电容(注意单数层和双数层之间的电极一个偏一边,也就是单数偏左双数便右)烧成就是在1300度下烧24-28小时上电极就是将单数层和双数层端上银(Ag)浆,银的导电性能好.电镀是镀镍(Ni),主要是防止银的氧化,然后再镀锡铅合金(因为镍的焊接性能不好)分选就是检测电容值、Q值和耐压,分选器一分钟可以分选1000个编带是为了SMT(贴片机贴片)方便计算公式:C=ξSn/tC电容值 ξ介质材料的介电常数 S电极面积 n层数 t层间距离三、测试项目:1、使用温度:根据材料不一样,使用温度有所区别NPO:-55到+125度X7R:-55到+125度Y5V:-30到+85度2、额定电压(耐压)3、外型4、尺寸:大是4532,其次有3225 3216 2012 1608 1005 0805 0603 04020402是指长4mil 宽2mil mil是毫吋(英毫)=0.001in(英吋)1公分(cm)=0.3937吋(in)5、绝缘电阻(IR):10000M欧姆,至少是500倍的容量6、温度特性:NPO(温度补偿型的电容) COG 是每度±30个ppm变化范围内,COH 是每度±60个ppm变化范围内还有负温度系数电容 电容随着温度升高而降低PH表示-150±60ppmRH表示-220±60ppmSH表示-330±60ppmTH表示-470±60ppmVJ表示-750±60ppm优点:用于高频电路,补偿电路参数缺点:ξ介质材料的介电常数小,只能做到100pF以下X7R:ξ介质材料的介电常数不大不下,处于中间值,变化在15%以内Y5V:ξ介质材料的介电常数大,但电容变化范围+22%到-82%四、实验要求1、端子粘着强度,在电容中间加10N(牛顿)/10秒时间端子不脱落2、PCB弯曲:在90MM的PCB中间焊接电容,弯曲量小于1MM,电容不损伤3、可焊性:锡炉230±5度 2±0.5秒时间,在显微镜下观察端头上锡面积不得小于75%4、耐焊性:270±5度 10秒时间,放置24小时后测量电容数值COG:±2.5%以内X7R:±7.5%以内Y5V:±20%以内五、发展趋势:1、小型化:1995年 0805占50% 0603占30% 0402占20%2000年 0805占30% 0603占43% 0402占27%预计06年0805占不到10% 0603占不到20% 0402占70%以上2、大容量,3225的电容做到800层、电容量22uF3、贵金属替代:要求耐高温、电阻率小、不氧化等特性.膜厚度3微米以下 目前多的是银70/铂30的合金详情请垂询13510258262 刘妍妍(13714919324)