pet绝缘膜厂家谈提高薄膜质量

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    提高薄膜淀积速率，对基片进行加热，在溅射法制备薄膜时提高溅射电压等，都可降低薄膜内氧的含量，提高Nb薄膜质量。基片温度高于300℃时，比较容易获得Tc为9.2K的优良Nb膜。新制备的Nb薄膜，表面很容易吸附氧气，给制备器件的后续工艺带来不利影响。为此，应尽可能提高系统的本底真空，并尽量缩短各工艺步骤间的时间间隔。Nb膜及器件的制备工艺已经相当成熟，已可制备相当复杂的超导器件。

　　化合物超导薄膜低温超导化合物种类繁多，具有重要实用价值的是B一1型化合物薄膜和A一15化合物薄膜。前者的典型是NbN，后者的典型是Nb3Sn和Nb3Ge。①NbN薄膜:典型的B一1型化合物(见B一1超导体)。其Tc为17.3K，Hc为43T，热稳定性和化学稳定性高且抗中子辐照，是优良的超导薄膜材料。在氢(Ar)与氮(NZ)混合气体中进行反应溅射，在温度为350一600oC的石英、熔凝石英、蓝宝石以及碳纤维上，可获得性能良好的NbN薄膜。离型膜价格

　　NbN薄膜的临界电流密度Jc(4.2K、20T)高达Zxl06A/emZ。已用NbN超导薄膜制作出高度稳定的超导量子干涉器器件。制备NbN的基片温度较低，工艺条件也不像A一巧化合物那样严格。②Nb3Sn薄膜:Sn的含量在18一25at%时，Nb-Sn体系就可形成A一巧结构化合物，Tc在17一18K。Nb3Sn薄膜的制备较容易，电子束共蒸发法、溅射法与CVD法都可制备出良好的Nb3Sn薄膜。用A1203陶瓷片、镍基合金与蓝宝石作为基片，温度在720一900oC可制得Tc在17一18K的Nb3Sn薄膜。


　　在镍基合金带上，用CVD法可制备长度超过1000m的Nb3Sn超导带。这种方法曾经取代粉末冶金法生产Nb3Sn带材，后来又被效果更好的青铜法和扩散法所取代。Nb3Sn薄膜的热稳定性和机械强度不如NbN，而临界温度又低于后来发现的Nb3Ge(Tc为23K)，因而逐渐被NbN与Nb3Ge所取代。③Nb3Ge薄膜:Nb3Ge的临界温度为23K，直到1986年高温超导体发现之前，它保持Tc高记录达13年之久。离型膜批发

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