EZ-T10C-FU

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必须注意的是，这里可以很大程度上忽略通道宽度调制的影响。这是因为任何因漏极电压上升导致的漏极电流的上升会在通过RSET电阻后下降，并导致源电压的上升。为了使MOSFET能维持任何电流，栅极电压必须大于源电压与阈值电压的和。也就是说，给定一个栅极电压，源电压将被限制在至少比栅极电压小一个阈值电压的值，且再大的漏极电压上升也不会提升漏极电流。因此，构建相应运行条件，RSET必须足够大，从而确保在上述限制下可允许作出以下假设：

　　

　　等式1中的比值可基于等式3和4改写成：

　　

　　为了简化等式5，可作出如下定义：

　　

　　利用等式5进行替换与调整后，可导出VSN的等式：

　　

　　将等式8代入等式2可得出：

　　

　　那么栅极驱动对阈值电压的差是什么呢，VGT？这终由偏置网络第1柱的反馈决定；它本质上是维持所需ISINK1电流需要的电压：

　　

　　重新调整等式11的项，可得出VGT的等式：

　　

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