FBM218

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FBM218

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基本原理

　　BAW谐振器应用了MEMS工艺，以便将石英晶体的工作机理扩展到更高频率。压电层的典型厚度在几个微米或更低。压电层可以驱动一个驻声波，其波长为压电层和电极总厚度的两倍。该驻声波沿垂直方向传播。因为淀积的压电层的方向对厚度外延模式（TE）支持得好，所以采用了这一模式。在谐振频率附近，电阻抗将发生强烈的变化。在BAW中，压力场看起来与（单晶的）石英晶体很相似，但有更大一部分驻波位于电极和支撑层中。要将厚度外延模式的石英晶体的工作机制扩展到GHz范围，直接的方法是将压电层和电极作成膜结构，或做到一个薄的支撑膜层上。

　　这种用膜结构的方法产生的BAW器件需要淀积的层数是少的。这种方法的缺点是由于顶部有易碎的膜，从而造成晶片的处理很困难，此外还有其它一些鲁棒性的问题。

　　为实现将声波从衬底隔离开，还可以用声波镜来实现。用若干声阻抗高和低的层交替堆叠，且这些层的厚度都等于主谐振波长的1/4，这样就构建了一个有效的声波镜。这种制镜机理在光学中很普遍。在每个高阻抗层和低阻抗层之间的界面上，大部分的声波被反射，又由于这些层的厚度是/4，因而反射波会按合适的相位叠加。这种类型的BAW被称为固态装配谐振器（SMR）。就鲁棒性而言，SMR比膜结构的BAW要好很多。在划片和装配所需的各种标准工序中，没有机械损坏的风险。压电层和电极层上受到的层压力也不会造成问题。对需要有很大功率承受能力的BAW而言，存在一条直接穿过镜子的垂直传热通路是很有利的，这样可以明显降低对周围环境的热阻抗。SMR类的FBAR在用于IC集成时有很明显的优点，因为它可以被嵌入到交替的金属-氧化物堆中，而这种金属-氧化物堆一般先进的IC工艺都可以提供。事实上，在IC工艺上集成SMR，总的工序和掩膜层数都得到节省。

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Mitsubishi: A1SX80 (A1SX80)
16 point 12/24V DC (3mA/7mA) sink or source 16 points/common
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Mitsubishi: A1SX80 (A1SX80)
16 point 12/24V DC (3mA/7mA) sink or source 16 points/common
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Mitsubishi: A1SX81 (A1SX81)
32 point 12/24V DC (3mA/7mA) sink or source 32 points/common
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Mitsubishi: A1SY10 (A1SY10)
Mitsubishi Output Unit
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Mitsubishi: A1SY10EU (A1SY10EU)
16 point relay 2A contact 8 points/common
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Mitsubishi: A1SY18A (A1SY18A)
Mitsubishi 8 Channel 24 Volt DC Output Module
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Mitsubishi: A1SY18A (A1SY18A)
Mitsubishi 8 Channel 24 Volt DC Output Module
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Mitsubishi: A1SY18A (A1SY18A)
Mitsubishi 8 Channel 24 Volt DC Output Module
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Mitsubishi: A1SY18AEU (A1SY18AEU)
8 point relay 2A contact all points independent
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Mitsubishi: A1SY18AEU (A1SY18AEU)
8 point relay 2A contact all points independent
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Mitsubishi: A1SY18AEU (A1SY18AEU)
8 point relay 2A contact all points independent
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Mitsubishi: A1SY22 (A1SY22)
Mitsubishi Output Module Triac 16pt
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