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N沟道增强型MOSFET TDM31522描述该TDM31522采用先进的沟槽技术提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。一般特征lRDS（ON）<38mΩ@ VGS = 10Vl可靠耐用l可提供无铅产品lDFN5X6-8封装应用lPWM应用l负载开关l电源管理
