山特ups电源蓄电池供应商医院UPS不间断电源

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青鹏科技(西安ups电源蓄电池供应商)又名西安医院UPS不间断电源,主营采购核磁共振CT室UPS电源项目,医院科室ups电源备用应急电源,适用于核磁UPS电源、手术室UPS电源、ICU病房UPS电源、CTUPS电源

    医院山特ups电源蓄电池根据“医疗建筑电气设计规范  -场所对用电的要求" 手术室、ICU病房是属于医院二级医疗场所，要求零断电，以及更纯净稳定的供电环境可靠性要求高，一般功率选择15-100KVA；推荐后备时间1-2小时；建议机型山特3C3 Pro 15-100K产品（如有需要可选配内置隔离变压器版本），该系列产品体积小、率高、噪音低，内部PCB均喷涂三防漆环境适应性强。搭配山特电池，兼容性更好，同等容量电池情况下该组合备份时间更长。山特UPS高市场占有率产品可对二级医疗场所的可靠性要求提供保障。
数字化医疗改革是目前医院建设的重要方向，信息中心是服务整个医院运行的重中之中；信息机房以服务器、交换机、存储器等IT负载为主，是医院日常运行的基础，一般情况下信息机房功率要求在30-250KVA，后备时间1-2小时；推荐高率的山特3C3 Pro  20-200K以及3A3 PT 25-300K产品，搭配山特电池，兼容性更好，同等容量电池情况下该组合备份时间更长。

同时新机房建设或者老机房整体改造，推荐山特一体化机房灵聚微模块系统，打造可靠、绿色的机房基础设施，集成机柜、制冷、电源、监控等完整的机房基设施，提供交钥匙方案。

浅谈医院山特ups电源蓄电池所用的蓄电池

铅酸免维护山特蓄电池：是一种电极主要由铅及其氧化物制成，电解液是硫酸溶液的一种蓄电池。价格便宜，维护方便。

山特铅酸免维护蓄电池：是一种电极主要由铅及其氧化物制成，电解液是硫酸溶液的一种蓄电池。价格便宜，维护方便。

　　深循环免维护电池：放电深度，比如一般电池放电到10V左右就要放电，而深循环电池则可以放到更低电压。这种电池需要和匹配的控制器一起使用才有好的表现。

　　胶体免维护电池：是高密封性电池。电池在充放电时，溢酸少、失水少，使用寿命相对普通电池较长。可以应用在恶劣的环境下使用。

　　磷酸铁锂免维护电池：是指用磷酸铁锂作为正极材料的锂离子电池。锂离子电池的正极材料主要有钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、三元材料、磷酸铁锂等。其中钴酸锂是目前绝多数锂离子电池使用的正极材料。

医院山特ups电源蓄电池的蓄电池特点

医院山特ups电源蓄电池设备的可靠性与多种因素有关，包括电路研制定型水平、技术人员技术水平和经验、器件选用差别、生产工艺水平、质量管理流程等。电路结构变化有个技术成熟的过程，当然还包括所选用的器件性能和可靠性对新电路结构的适应能力。所以说电路结构的变化对设备可靠性是有影响的，影响小终取决于电路技术成熟程度和器件水平这两个因素。

　　1、技术成熟是毋庸置疑

　　无变压器山特UPS采用的新技术主要有两点:一是AC/DC高频整流(PFC)技术；二是输出半桥逆变技术。这两项技术产生由来已久，已成为电力电子设备的经典技术，应用也非常广泛，所以技术成熟程度是毋庸置疑的。虽然把这两项技术集成起来用于无变压器山特UPS中仅是近十年的事情，因电路定型水平和参数选择的差异也可能存在设备可靠性问题，但出现可靠性的根本原因却不是电路结构和新技术的应用造成的。

　　2、当前器件性能水平完全能够满足新电路结构提出的更高要求

　　在无变压器山特UPS中，对器件性能要求高的环节主要是半桥式逆变器，而关键的参数又是功率开关器件IGBT的耐压(UCES)和输出电流(有值和峰值)能力，IGBT的输出能力完全可以满足400～500kVA的功率无输出变压器山特UPS。

　　值得注意的是，在无变压器UPS的半桥逆变电路中，输出电压是由?400V直流母线电压直接形成的，输入电流有值等于输出电流有值。而传统的带变压器UPS是通过输出变压器升压形成的，在升压比为1:1.9或1:1.78时，同时考虑三角形/星形接法输出电流有值是输入有值的1.73倍，所以全桥逆变器输入电流有值是输出电流有值的1.9/1.73=1.1(或1.78/1.73=1.03)倍。数据说明，对同样输出功率的深圳山特UPS，无输出变压器UPS对IGBT的电流输出能力的要求并不比传统的带输出变压器UPS高。也就是说，从IGBT地电流输出能力来看，能做多功率的带输出变压器山特UPS，就可以做多输出功率的无输出变压器深圳山特UPS。

　　与带输出变压器山特UPS相比，无输出变压器深圳山特UPS电源的逆变器对IGBT的耐压提出了更高的要求。在带输出变压器UPS的全桥逆变器中，IGBT的耐压就是直流母线电压，一般为400多伏，而在无输出变压器UPS地输出半桥逆变器中，直流母线电压是?400V，要求IGBT的耐压要于800V。虽然当前的器件耐压1200V已不成问题，但此要求不仅仅是静态耐压问题，更严重的是IGBT地开关电压变化率(du/dt)和开关损耗问题，因而这是电路设计和器件选择时必须重视和解决的问题。