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AP10N10 NMOS SOT89 n沟道增强型mos场效应管

发布时间 2024-03-07 收藏 分享
价格 0.20
品牌 世微
区域 全国
来源 深圳市世微半导体有限公司

详情描述:

 场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应管已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。
世微半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
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 Green Device Available
Excellent Cdv/dt effect decline
 Advanced high cell density Trench
technology
The 10N10 is the hig hestp erformance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The meet the RoHS and Green Product
requirement, 100% EAS guaranteed with full
function reliability approved.

内阻:85 mΩ



联系人 汤小姐
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宝源路名优工业产品展示采购中心B座1区326
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