详情描述:
配置IGBT-Inverter集电极—射极饱和电压1.45V在25C的连续集电极电流150A栅极—射极漏泄电流400nAPd-功率耗散335W封装/箱体Module小工作温度-40C大工作温度 150C安装风格SMD/SMT栅极/发射电压20V单位重量39g
配置
IGBT-Inverter
集电极—射极饱和电压
1.45V
在25C的连续集电极电流
150A
栅极—射极漏泄电流
400nA
Pd-功率耗散
335W
封装/箱体
Module
小工作温度
-40C
大工作温度
150C
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射电压
20V
单位重量
39g