功率半导体器件CV测试系统

详情描述：

系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz    到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。详询一八一四零六六三四七六；
系统优势
频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；                    
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配； 
基本参数                   
LCR
测试频率
10Hz-1MHz
频率输出晶确度
?0.01%
基本准确度
?0.05%
AC测试信号准位
10mV至2Vrms (1m Vrms        解析度)
DC测试信号准位
10mV至2V (1m Vrms         解析度)
输出阻抗
100Ω
量测范围
|Z|, R, X
0.001mΩ–99.999MΩ
|Y|, G, B
0.1nS–99.999S
Cs、Cp
0.01pF – 9.9999F
Ls Lp
0.1nH–9.999kH
D
0.00001-9.9999
Q
0.1-9999.9
DCR
0.001mΩ–9.999MΩ
Δ%
-9999%-999%
θ
-180° - 180°
 
 
SMU
VGS范围
0                                                                                      -            ?30V(选配)
IGSS/IGES
≥10pA(选配)
VDS范围
0                                                                                      -               ?300V
0                                                                                      -               ?1200V
0 - ?2200V
0 -                                                                                ?3500V
IDSS/ICES
≥10pA
≥1nA
源测精度
0.03%
0.1%
功能
测试方式
点测、图形扫描
测试参数
DIODE:CJ、IR、VR
MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS
IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES
接口
RS232、LAN
编程协议
SCPI、LabView

 
 软件界面及功能

 
 CV测试界面

 
CV曲线图

 
典型配置 
源表
VGS/VGE
选配，S100/P100
VDS/VCE
标配S300，可选P300/E100/E200/E300
LCR表
标配10Hz~1MHz频率，可选5MHz/10MHz
矩阵开关
 
上位机软件
 
其他
三同轴电缆、LAN线