功率半导体参数测试仪and功率器件参数分析仪

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普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级晶确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
IGBT测试系统图
    普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

“双高”系统优势
    高电压、大电流
    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(蕞大可扩展至10kV)
    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)
    高精度测量
    nA级漏电流, μΩ级导通电阻
    0.1%精度测量
    模块化配置
    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元
    测试效率高
    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
    支持国标全指标的一键测试
    扩展性好
    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
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