纳米材料高温原位表征及测试IV扫描源表

详情描述：

传统的二线制电阻测量方式容易引入附加误差，降低MEMS芯片控温的精准度。材料测试所能承受的电流超小，低至nA甚至pA，测试设备需要具备小电流的测量能力。武汉普赛斯数字源表具有测试精度高，微弱信号检测能力强的特点，可够根据用户测试需求配置高效，高性价比的纳米材料测试方案，可广泛应用在纳米材料，传感器，半导体器件等产品的研发，生产领域；纳米材料高温原位表征及测试IV扫描源表认准普赛斯仪表咨询，详询18140663476

 
通过MEMS芯片在原位样品台内对样品构建精细热场自动调控及反馈测量系统，并结合TEM/SEM研究材料在不同热场条件下发生结构相变、形貌变化、物性变化以及电性变化等关键信息。  
测试面临的挑战：
传统的二线制电阻测量方式容易引入附加误差，降低MEMS芯片控温的精准度。材料测试所能承受的电流超小，低至nA甚至pA，测试设备需要具备小电流的测量能力。
普赛斯S/P系列源表为原位表征提供精准热场控制及电性能测量:
标配四线制测量端口;
提供多个电流量程，量程越低，精度越高;
蕞低1pA电流分辨率，源测精度高达0.03%。详询一八一四零六六三四七六；