派恩杰SIC MOS管P3M06025BD

详情描述：

SiC MOS P3M06025BD
N-Channel Enhancement Mode
Features
High Blocking Voltage with Low On-Resistance
High-Frequency Operation
Ultra-Small Qgd
Benefits
lmprove System Efficiency
Increase Power Density。
Reduce Heat Sink Requirements
Reduction of System Cost
Applications
Solar inverters
EV Battery Chargers
High Voltage DC/DC Converters
Switch Mode Power Supplies
SiC MOSFET的出现和广泛应用为功率半导体产业和电力电子产业带来了一场影响深远的技术革命。SiC MOSFET在导通电阻，开关损耗，高温运行和导热性上的优异特性极大地提升了电力电子系统的转换效率和功率密度，并使得系统的整体成本降低。因此，在汽车应用，工业应用，通信电源和数据中心，SiC MOSFET正在逐步替代传统的硅基功率器件。派恩杰半导体在650V，1200V，1700V多个电压平台均有量产的分立器件产品，且在不同载流能力和封装形式上，产品目录齐全，可以为客户提供全方位的选择。