-适用于任何光活性材料研究(半导体、光学晶体和光催化剂为主要示例)，包括薄层和纳米颗粒;

-非接触的电学表征技术，可结合其他成像设备记录电荷随时间变化空间位置;

-宽能量范围(0.4...5.8 eV):可以测试宽带隙材料例如Diamond/Ga203;

-非常高的灵敏度:可完成瞬态连续扫描，可以测量uV量级的小信号;3种激发模式:振幅调制(DC)、-相位调制(Hz)和脉冲瞬态调制(>kHz)

-跨大尺寸的时间和能量区分，测量少子寿命在ns~ms范围;空间分辨率~100um、时间分辨率~10ns;

-设备到主机数据通信的mapping、自动化和接口协议。

1、当前示例材料

-硅(任何类型、任何尺寸)

-碳化硅(任何类型、任何尺寸);择更好的选择是择具有外延层

-大多数IV-IV/III-V/II-VI族(化合物)

-大多数钙钛矿材料

-光催化材料(UV/VIS)

-根据用户要求，GaN、Ga203、金刚石、石英和其他材料(有机太阳能电池和/或LED等)

2、样本尺寸形状:首先选择衬底，粉末样品可行

3、测量功能:

-半导体缺陷态的分析

-光生电荷的空间成像

-光生载流子寿命的测量

-开路电压、导路电流

-材料中间层的活性

-电场驱动的扩散、缺陷水平等