二氧化锗靶材GeO2磁控溅射靶材

详情描述：

科研实验专用二氧化锗靶材GeO2磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
        二氧化锗（GeO2）为白色粉末或无色结晶，溶于碱中生成锗酸盐，有稍溶于水的六方
晶系(低温稳定)和不溶性的正方晶系两种，转变温度为1033℃，电子式与二氧化碳相同。
主要用于制金属锗，也用作光谱分析及半导体材料。
产品参数      
中文名称：氧化锗
中文别名：二氧化锗 
英文名称：Germanium oxide
CAS号：1310-53-8
分子式：GeH2O2
分子量：106.65500
质量：107.92700
PSA：34.14000
外观与性状：白色粉末或无色晶体
密度：6.239g/cm3
熔点：1115?C
沸点：1200?C
折射率：1.99
纯度 99.999%
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
       陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
       我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
       注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
       建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。